规格书 |
IPx08xN10N3 G |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 80A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8.6 mOhm @ 73A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.5V @ 75µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 55nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3980pF @ 50V |
功率 - 最大 | 125W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 80A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.5V @ 75µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
标准包装 | 500 |
供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 8.6 mOhm @ 73A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 125W |
封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3980pF @ 50V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 55nC @ 10V |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 80 A |
系列 | IPI086N10 |
RDS(ON) | 8.6 mOhms |
功率耗散 | 125 W |
商品名 | OptiMOS |
典型关闭延迟时间 | 31 ns |
零件号别名 | IPI086N10N3GXKSA1 SP000683070 |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 100 V |
RoHS | RoHS Compliant |
高度 | 11.177mm |
晶体管材料 | Si |
类别 | 功率 MOSFET |
长度 | 10.36mm |
典型输入电容值@Vds | 2990 pF @ 50 V |
通道模式 | 增强 |
安装类型 | 通孔 |
每片芯片元件数目 | 1 |
最大漏源电阻值 | 15.4 mΩ |
通道类型 | N |
Board Level Components | Y |
最高工作温度 | +175 °C |
最大栅阈值电压 | 3.5V |
最低工作温度 | -55 °C |
最大功率耗散 | 125 W |
最大栅源电压 | ±20 V |
宽度 | 4.572mm |
尺寸 | 10.363 x 4.572 x 11.177mm |
正向二极管电压 | 1.2V |
最小栅阈值电压 | 2V |
最大漏源电压 | 100 V |
典型接通延迟时间 | 18 ns |
典型关断延迟时间 | 31 ns |
封装类型 | TO-262 |
最大连续漏极电流 | 80 A |
引脚数目 | 3 |
正向跨导 | 89s |
晶体管配置 | 单 |
典型栅极电荷@Vgs | 42 nC @ 10 V |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
宽度 | 4.5 mm |
下降时间 | 8 ns |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 80 A |
长度 | 10.2 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 8.2 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
身高 | 9.45 mm |
典型导通延迟时间 | 18 ns |
Pd - Power Dissipation | 125 W |
上升时间 | 42 ns |
技术 | Si |
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